올해 내 월간 생산비중 50% 이상으로 증대
[현대경제신문 유성현 기자] 삼성전자가 '4세대(64단) 256기가비트(Gb) 3비트 V낸드플래시'를 본격 양산한다.
기존 평면 낸드플래시에 비해 메모리의 속도와 수명, 전력 효율성이 크게 개선된 것이 특징이다.
15일 삼성전자에 따르면 4세대(64단) V낸드를 세계 최고 성능과 높은 신뢰성으로 구현했으며 서버와 PC, 모바일용 등 낸드 제품 전체로 라인업을 확대한다.
삼성전자는 모바일용 eUFS와 소비자용 SSD, 메모리카드 등에 4세대 V낸드를 확대하고 올해안에 월간 생산 비중을 50% 이상으로 늘려 글로벌 고객의 수요 증가에 대응해 나갈 계획이다.
4세대 V낸드에는 '초고집적 셀 구조·공정'과 '초고속 동작 회로 설계', '초고신뢰성 CTF 박막 형성' 등 3가지 혁신 기술이 적용돼 3세대(48단) 제품 대비 속도와 생산성, 전력 효율 모두 30% 이상 향상됐다.
V낸드는 3차원 수직구조 낸드로 전원이 꺼져도 저장된 데이터가 지워지지 않는 비(非)휘발성을 갖는 플래시 메모리의 일종이다. V낸드는 수십 개의 단을 쌓아 올려 셀(정보를 저장하는 공간)을 3차원 수직으로 적층하는데 단수가 높아질수록 구조가 틀어지는 현상이 발생하는 등 물리적 한계가 있다.
이에 삼성전자는 '9-홀'이라는 '초고집적 셀 구조·공정' 기술로 기존 적층 한계(90단)를 극복, 반도체 칩 하나에 1조개 이상의 정보를 저장하는 '1Tera(테라) 비트 V낸드' 시대를 여는 원천 기술을 확보했다.
특히 원자 단위로 제어할 수 있는 CTF(Charge Trap Flash) 박막을 형성해 셀 크기를 줄이면서도 쓰기·지우기 특성 수명을 높였고, 셀과 셀사이의 데이터 간섭 현상을 최소화하는 제어 기술(채널 박막화)도 구현해 3세대 대비 신뢰성도 20% 향상시켰다.
또 '초고속 동작 회로 설계'로 초당 1기가비트(Gb)의 데이터를 전송해 셀에 데이터를 기록하는 속도도 3세대 V낸드보다 약 1.5배 빠르다.
경계현 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 "테라 V낸드 시대를 앞당기기 위해 임직원 모두 혁신적인 기술 개발에 전념했다"며 "향후에도 차세대 제품을 적기에 개발해 글로벌 IT 기업과 소비자의 사용 만족도를 높인 솔루션을 제공하겠다"고 말했다.