공정과정 축소 정확도 향상

EUV 공정을 적용한 삼성전자의 D램 <사진=삼성전자>
EUV 공정을 적용한 삼성전자의 D램 <사진=삼성전자>

[현대경제신문 진명갑 기자] 삼성전자가 업계 최초로 EUV(노광장비) 공정을 적용한 D램 양산체제를 갖췄다고 25일 밝혔다.

삼성전자는 메모리 업계 최초로 차세대 D램 제품부터 EUV 공정을 전면 적용해 반도체 미세공정의 한계를 돌파할 채비를 갖추고 D램의 새로운 패러다임을 제시했다.

EUV 노광 기술은 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄이면서 패터닝의 정확도도 높일 수 있다. 이는 성능과 수율을 향상으로 이어지고, 제품 개발 기간을 단축할 수 있다.

삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 ‘4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술’을 개발하고 있으며, 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다.

EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급(1a) D램은 1세대 10나노급(1x) D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높여 사업 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다.

삼성전자는 내년에 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)을 양산하고 5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 더욱 강화해 나간다는 전략이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실(부사장)은 “업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다”며, “내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속적으로 성장하는데 기여할 것”이라고 밝혔다.

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