[현대경제신문 김영 기자] SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했다고 21일 밝혔다.
이번에 개발한 D램은 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현, 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존하는 D램 중 가장 큰 것으로 전해졌다.
2세대(1y) 제품 대비 생산성은 약 27% 향상됐으며, 초고가의 EUV(극자외선) 노광 공정 없이도 생산 가능해 원가 경쟁력도 갖췄다는 게 SK하이닉스 측 설명이다.
데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 지원하며, 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비는 약 40% 줄인 것으로도 알려졌다.
아울러 이번 3세대 제품의 경우 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용, D램 동작의 핵심 요소인 정전용량(Capacitance)을 극대화하고 새로운 설계 기술을 도입해 동작 안정성도 높였다고 회사 측은 밝혔다.
이정훈 SK하이닉스 D램개발사업 1z TF장은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰, 고성능·고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라며 “연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 밝혔다.
한편 SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이다.