1세대 10나노급 D램 대비 속도 10%이상 향상, 소비 전력량 15% 이상 절감
[현대경제신문 유성현 기자] 삼성전자가 세계 최초로 '10나노급 2세대(1y나노) D램'을 양산한다.
삼성전자는 지난달부터 세계 최소 칩 사이즈의 10나노급 (1나노 : 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산하고 있다고 20일 밝혔다.
삼성전자는 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 약 30% 높여 글로벌 고객의 프리미엄 D램 수요 증가에 적기 대응할 수 있는 초격차 경쟁력을 구축했다.
삼성전자는 이번 2세대 10나노급 D램 양산을 통해 일부 응용처 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 돌입할 계획이다.
2세대 10나노급 D램은 '초고속ㆍ초절전ㆍ초소형 회로 설계'를 기반으로 기존 1세대 10나노급 D램 대비 속도는 10%이상 향상됐고, 소비 전력량은 15% 이상 절감됐다.
삼성전자는 이러한 첨단 혁신 공정 기술을 바탕으로 서버용 DDR5, 모바일용 LPDDR5, 슈퍼컴퓨터용 HBM3 및 초고속 그래픽용 GDDR6 등 차세대 프리미엄 D램 양산 기반을 업계 최초로 확보했다.
진교영 삼성전자 메모리사업부 사장은 “발상을 전환한 혁신적 기술 개발로 반도체의 미세화 기술 한계를 돌파했다”며 “향후 1y나노 D램의 생산 확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 더욱 강화할 것”이라고 말했다.
유성현 기자
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